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|45| FET

|45| FET

NO項目               計算主な出題番号集中ゼミの章別集中ゼミのページ番号
45FET無し5・6・72.752

出題パターンは5種類

  1. FETの図記号について
  2. FETを用いた論理回路について
  3. MOS形FET(電界効果トランジスタ)を用いた論理回路について
  4. 複合形電界効果トランジスタについて
  5. 接合形トランジスタと比較した電界効果トランジスタの特徴について

関連項目の |46| ダイオード と |47| 半導体 と一緒に覚えると効果的です。

FETとダイオードの実物写真
(以下のサイトでの学習は、イメージを浮かびやすくする程度で十分です)
http://homepage1.nifty.com/x6/elecmake/parts/elecpart.htm


パターン1の問題

h21 2月 午後

h21	2月	午後

解答 3

h21	2月	午後


正しい解答
(1) 図1は、「N」チャネルMOS形FETの図記号である。
(2) 図2は、MOS形FET(「エンハンスメント」形)の図記号である。

※接合形FETとMOS形FETがありますが、出題されるのは主に「MOS形FET」です。
※出題傾向から、「NチャネルMOS形FET」「エンハンスメント形」の特徴を覚えておきましょう。

  • N形は「矢印が左」、P形は「矢印が右」 ※覚え方「P」の膨らみが右側を向いている
  • エンハンスメント形は「真ん中の一番長い線が、3つに分かれて いる」
  • デプレッション 形は「真ん中の一番長い線が、繋がって一本になって いる」

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

h24 2月 午前

h24	2月	午前

解答 1

h24	2月	午前


正しい解答
(1) 図1は、「N」チャネルMOS形FETの図記号である。
(2) 図2は、MOS形FET(「エンハンスメント」形)の図記号である。

※接合形FETとMOS形FETがありますが、出題されるのは主に「MOS形FET」です。
※出題傾向から、「NチャネルMOS形FET」「エンハンスメント形」の特徴を覚えておきましょう。

  • N形は「矢印が左」、P形は「矢印が右」 ※覚え方「P」の膨らみが右側を向いている
  • エンハンスメント形は「真ん中の一番長い線が、3つに分かれて いる」
  • デプレッション 形は「真ん中の一番長い線が、繋がって一本になって いる」

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

h25 10月 午前

h25	10月	午前

解答 4

h25	10月	午前


正しい解答
(1) 図1は、「NチャネルMOS形」FETの図記号である。
(2) 図2は、「Nチャネル接合形」FETの図記号である。

■平成17年10月期午前_問4以来ひさしぶりに「接合形」が問われました。
 MOS形FETと大きく違うのは矢印の向きが接合形では「逆」になるということです。

 ・矢印が  「Nチャネル接合形」と「PチャネルMOS形」
 ・矢印が  「NチャネルMOS形」と「Pチャネル接合形」

 MOS形FETの特徴さえ覚えておけば「接合形の矢印はMOS形の逆になる」で対応できます。
 混乱しやすい内容なのでしっかり整理しながら頭に入れましょう。

※接合形FETとMOS形FETがありますが、出題されるのは主に「MOS形FET」です。
※出題傾向から、「NチャネルMOS形FET」「エンハンスメント形」の特徴を覚えておきましょう。

  • N形は「矢印が左」、P形は「矢印が右」 ※覚え方「P」の膨らみが右側を向いている
  • エンハンスメント形は「真ん中の一番長い線が、3つに分かれて いる」
  • デプレッション 形は「真ん中の一番長い線が、繋がって一本になって いる」

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

h21 2月 午前

h21	2月	午前

解答 4

h21	2月	午前


正しい解答
(1) NチャネルMOS形FETの図記号は、「図2」である。
(2) MOS形FETは接合形FETに比べ、インピーダンスが「高い」

※接合形FETとMOS形FETがありますが、出題されるのは主に「MOS形FET」です。
※出題傾向から、「NチャネルMOS形FET」「エンハンスメント形」の特徴を覚えておきましょう。

  • N形は「矢印が左」、P形は「矢印が右」 ※覚え方「P」の膨らみが右側を向いている
  • エンハンスメント形は「真ん中の一番長い線が、3つに分かれて いる」
  • デプレッション 形は「真ん中の一番長い線が、繋がって一本になって いる」

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

h24 2月 午後

h24	2月	午後

解答 2

h24	2月	午後


正しい解答
(1) NチャネルMOS形FETの図記号は、「図2」である。
(2) MOS形FETは接合形FETに比べ、インピーダンスが「高い」

※接合形FETとMOS形FETがありますが、出題されるのは主に「MOS形FET」です。
※出題傾向から、「NチャネルMOS形FET」「エンハンスメント形」の特徴を覚えておきましょう。

  • N形は「矢印が左」、P形は「矢印が右」 ※覚え方「P」の膨らみが右側を向いている
  • エンハンスメント形は「真ん中の一番長い線が、3つに分かれて いる」
  • デプレッション 形は「真ん中の一番長い線が、繋がって一本になって いる」

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

h25 10月 午後

h25	10月	午後

解答 1

h25	10月	午後


正しい解答
(1) NチャネルMOS形FETの図記号は、「図1」である。
(2) MOS形FETは接合形FETに比べ、インピーダンスが「高い」

※接合形FETとMOS形FETがありますが、出題されるのは主に「MOS形FET」です。
※出題傾向から、「NチャネルMOS形FET」「エンハンスメント形」の特徴を覚えておきましょう。

  • N形は「矢印が左」、P形は「矢印が右」 ※覚え方「P」の膨らみが右側を向いている
  • エンハンスメント形は「真ん中の一番長い線が、3つに分かれて いる」
  • デプレッション 形は「真ん中の一番長い線が、繋がって一本になって いる」

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

パターン2の問題

h19 6月 午前

h19	6月	午前

解答 1

h19	6月	午前


パターン2とパターン3の問題は「論理回路の例が同じ」です。
この図から答えを導き出せるようにしましょう。

正しい解答 : 入力信号が論理「0」のとき、FET1は、「ON」になる。このとき出力は、ほぼ「+VDD」[V]になり、論理「1」となる。


  • 入力信号が論理「0」のとき、FET1は、「ON」になる。
  • 入力信号が論理「0」のとき、FET2は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET2は、「ON」になる。

※[逆の例] 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。このとき出力は、ほぼ「0」[V]になり、論理「0」となる。
  ↓
入力論理が「1」に対して、出力論理が「0」になる。 つまり、「NOT」回路として動作する。

h22 10月 午前

h22	10月	午前

解答 2

h22	10月	午前


パターン2とパターン3の問題は「論理回路の例が同じ」です。
この図から答えを導き出せるようにしましょう。

正しい解答 : 入力信号が論理「0」のとき、FET1は、「ON」になる。このとき出力は、ほぼ「+VDD」[V]になり、論理「1」となる。


  • 入力信号が論理「0」のとき、FET1は、「ON」になる。
  • 入力信号が論理「0」のとき、FET2は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET2は、「ON」になる。

※[逆の例] 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。このとき出力は、ほぼ「0」[V]になり、論理「0」となる。
  ↓
入力論理が「1」に対して、出力論理が「0」になる。 つまり、「NOT」回路として動作する。

パターン3の問題

h19 6月 午後

h19	6月	午後

解答 3

h19	6月	午後


パターン2とパターン3の問題は「論理回路の例が同じ」です。
この図から答えを導き出せるようにしましょう。

正しい解答
(1) FET1は、「P」チャネルである。
(2) 入力信号が論理「1」のとき、FET2は、「ON」になる。
(3) この回路は、論理回路の「NOT」として動作する。


  • 入力信号が論理「0」のとき、FET1は、「ON」になる。
  • 入力信号が論理「0」のとき、FET2は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET2は、「ON」になる。

※[逆の例] 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。このとき出力は、ほぼ「0」[V]になり、論理「0」となる。
  ↓
入力論理が「1」に対して、出力論理が「0」になる。 つまり、「NOT」回路として動作する。

h22 10月 午後

h22	10月	午後

解答 2

h22	10月	午後


パターン2とパターン3の問題は「論理回路の例が同じ」です。
この図から答えを導き出せるようにしましょう。

正しい解答
(1) FET1は、「P」チャネルである。
(2) 入力信号が論理「1」のとき、FET2は、「ON」になる。
(3) この回路は、論理回路の「NOT」として動作する。


  • 入力信号が論理「0」のとき、FET1は、「ON」になる。
  • 入力信号が論理「0」のとき、FET2は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。
  • 入力信号が論理「1」のとき、FET2は、「ON」になる。

※[逆の例] 入力信号が論理「1」のとき、FET1は、「OFF」になる。このとき出力は、ほぼ「0」[V]になり、論理「0」となる。
  ↓
入力論理が「1」に対して、出力論理が「0」になる。 つまり、「NOT」回路として動作する。

パターン4の問題

h26 10月 午前

h26	10月	午前

解答 2

h26	10月	午前


正しい解答
(1) チャネルは、「Nチャネル」である。
(2) 一般に、電池を用いてD-S間に電圧を加えるとき、「Dに<正(+)>、Sに<負(-)>」の電圧を加えて用いる。

※MOS形FETではなく、接合形FETを中心に出題されました。
 今後は、MOS形だけではなく接合形FETの特徴もしっかり押さえる必要があります。

  • Nチャネル形とPチャネル形のちがい
    • 電流の通路となる半導体が N 形半導体であるものを N チャネル形
    • 電流の通路となる半導体が P 形半導体であるものを P チャネル形
  • 電圧の与え方のちがい
    • N チャネル形は、ソースを接地してドレインに正、ゲートに負の電圧を印加
    • P チャネル形は、ソースを接地してドレインに負、ゲートに正の電圧を印加
  • 接合形FETとMOS形FETのちがい
    • 接合形FETは、ゲート電極に P 形または N 形の半導体を直接接合したFET
    • MOS形FETは、ゲート電極と半導体との間に薄いシリコン酸化被膜層を挟んで絶縁したFET

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

パターン5の問題

h26 10月 午後

h26	10月	午後

解答 2

h26	10月	午後


正しい解答
(1) チャネルを流れる電流は、「多数」キャリアからなる。
(2) 入力インピーダンスは、極めて「高い」
(3) 雑音は「小さい」

FET
トランジスタではアシは3本に出ていて、それぞれベース(B)、コレクタ(C)、エミッタ(E)ですね。FETではやはり3本なのですが、呼び方が違い、ゲート(G)、ドレイン(D)、ソース(S)となります。

ゲートはベースに、ドレインはコレクタにソースはエミッタにそれぞれ相当します。
トランジスタにPNPとNPNがあるように、FETにもPチェネルとNチャネルがあります。
また、それぞれに接合形(ジャンクション形)とMOS形があります。

http://www-user.interq.or.jp/ecw/easyradio/2tr-radio/fet.htm

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